分析化学2014，Vol.42Issue(1)：123-126,4.DOI:10.3724/SP.J.1096.2014.30698
激光剥蚀电感耦合等离子体质谱法测定碳化硅器件中杂质元素
Quantitative Analysis of Trace Elements in Silicon Carbide Device by Laser Ablation Inductively Coupled Plasma Mass Spectrometry
摘要
关键词
激光剥蚀/电感耦合等离子体质谱/碳化硅Key words
Laser ablation/Inductively coupled plasma mass spectrometry/Silicon carbide引用本文复制引用
周慧,汪正,朱燕,李青,陈奕睿,屈海云,邹慧君,杜一平,胡慧廉..激光剥蚀电感耦合等离子体质谱法测定碳化硅器件中杂质元素[J].分析化学,2014,42(1):123-126,4.基金项目
本文系中国科学院仪器设备功能开发技术创新项目(No.Y27YQ3120G)和上海硅酸盐研究所所创新重点项目资助 （No.Y27YQ3120G）
