采用钳位二极管的新型低功耗SRAM的设计OA北大核心CSCDCSTPCD
Design of a new low power SRAM with clamping diode
给出了一种设计低功耗静态随机存储器(SRAM)的技术,实现了在电路级与架构级层次上同时降低漏电流与动态功耗.该技术采用源极偏压结构控制漏电流,将一个钳位二极管与NMOS管并联插入GND与SRAM单元的源极之间,当NMOS打开时SRAM进行正常的读写操作,而NMOS关闭则会将源极电压抬高至钳位电压,降低漏电流的同时保证了数据的稳定性;对SRAM结构进行独特的布局,引入Z译码电路,极大地减少每次操作时激活的存储单元数量,明显降低动态功耗;将power…查看全部>>
张立军;吴晨;王子欧;毛凌锋
苏州大学城市轨道交通学院 苏州215006苏州秉亮科技有限公司 苏州215021苏州大学城市轨道交通学院 苏州215006苏州大学城市轨道交通学院 苏州215006
静态随机存储器(SRAM)低功耗钳位二极管漏电流
static random access memory(SRAM)low powerclamping diodeleakage current
《高技术通讯》 2014 (2)
171-176,6
国家自然科学基金(61272105,61076102)资助项目.
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