材料科学与工程学报2014，Vol.32Issue(2)：251-254,4.
电子辐照直拉硅中VO2的红外光谱表征
Infrared Studies of Defect in Electron Irradiated Czochralski Silicon
摘要
关键词
电子辐照/傅里叶变换红外光谱(FTIS)/亚稳态缺陷/VO2复合体Key words
electron-irradiation/ fourier transform infrared spectroscopy(FTIS)/ metastable defect/ vacancy-dioxygen complex分类
信息技术与安全科学引用本文复制引用
蔡莉莉,冯翠菊,陈贵锋..电子辐照直拉硅中VO2的红外光谱表征[J].材料科学与工程学报,2014,32(2):251-254,4.基金项目
国家自然科学基金资助项目(50872028) （50872028）
河北省教育厅科技资助项目(Z2013024) （Z2013024）
中央高校基本科研业务费资助项目(JCB2013B09) （JCB2013B09）
