功率MOSFET寄生电容劣化对开关瞬态响应的影响OA北大核心CSCDCSTPCD
Degradation analysis of power MOSFET parasitic capacitance in transient response of switching
为解决功率MOSFET寄生电容劣化影响寿命的问题,在MOSFET非线性模型基础上,深入分析MOSFET寄生电容参数和开关管瞬态响应信号之间的关系,推导了各参数和瞬态响应之间的关系表达式,并用Saber仿真实验进行验证.由于栅极对MOSFET的性能影响至关重要,所以此次实验分析了和栅极相关的栅源电容Cgs和栅漏电容Cgd.结果表明,在寄生参数相同劣化程度时,栅源电容对瞬态响应的影响达到7.08％,而栅漏电容近似只有1.6％.栅源电容的劣化更大程度上…查看全部>>
戴宇晟;王国辉;关永;吴立锋;李晓娟
首都师范大学信息工程学院,北京100048首都师范大学高可靠嵌入式系统技术北京市工程研究中心,北京100048首都师范大学电子系统可靠性技术北京市重点实验室,北京100048首都师范大学信息工程学院,北京100048首都师范大学高可靠嵌入式系统技术北京市工程研究中心,北京100048
信息技术与安全科学
MOSFET寄生电容瞬态响应软件仿真
MOSFETparasitic capacitancetransient responsesoftware simulation
《电源技术》 2014 (4)
661-664,4
国家自然科学基金(61070049,61202027)国际科技合作项目(2012DFA11340)北京市自然科学基金(4122015)北京市教育委员会科技计划面上资助项目(KM201210028001)电子系统可靠性技术北京市重点实验室2012年阶梯计划项目(Z121101002812006)
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