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CCD表面暗电流特性研究

雷仁方 王艳 高建威 钟玉杰

电子科技2014,Vol.27Issue(5):26-28,32,4.
电子科技2014,Vol.27Issue(5):26-28,32,4.

CCD表面暗电流特性研究

Study on Surface Dark Current of CCD

雷仁方 1王艳 1高建威 1钟玉杰1

作者信息

  • 1. 重庆光电技术研究所第一研究室,重庆400060
  • 折叠

摘要

关键词

CCD/表面暗电流/界面态密度/温度/辐照

分类

信息技术与安全科学

引用本文复制引用

雷仁方,王艳,高建威,钟玉杰..CCD表面暗电流特性研究[J].电子科技,2014,27(5):26-28,32,4.

电子科技

1007-7820

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