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H/Al共掺杂对ZnO基透明导电薄膜光电性质和晶体结构的影响

宋秋明 吕明昌 谭兴 张康 杨春雷

发光学报2014,Vol.35Issue(4):393-398,6.
发光学报2014,Vol.35Issue(4):393-398,6.DOI:10.3788/fgxb20143504.0393

H/Al共掺杂对ZnO基透明导电薄膜光电性质和晶体结构的影响

Influence of H/Al Co-doping on Eletrical and Optical Properties and Crystal Structure of ZnO-based Transparent Conducting Films

宋秋明 1吕明昌 1谭兴 2张康 1杨春雷2

作者信息

  • 1. 中国科学院深圳先进技术研究院中国科学院香港中文大学深圳先进集成技术研究所光伏太阳能研究中心,广东深圳518055
  • 2. 中国科学技术大学纳米科学技术学院,江苏苏州215123
  • 折叠

摘要

关键词

H/Al共掺杂ZnO/自由载流子吸收/磁控溅射/薄膜太阳能电池

Key words

H/Al co-doped ZnO/free carriers absorpion/magnetron sputtering/thin film solar cells

分类

数理科学

引用本文复制引用

宋秋明,吕明昌,谭兴,张康,杨春雷..H/Al共掺杂对ZnO基透明导电薄膜光电性质和晶体结构的影响[J].发光学报,2014,35(4):393-398,6.

基金项目

国家自然科学基金(51002178) (51002178)

深圳市科技创新委项目(ZYC201105180487A)资助 (ZYC201105180487A)

发光学报

OA北大核心CSCDCSTPCD

1000-7032

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