人工晶体学报2014，Vol.43Issue(4)：784-789,6.
沉积温度对硬质合金表面MPCVD法制备SiC过渡层的影响
Effects of Temperature on SiC Interlayers on Cemented Carbide Substrates Deposited by MPCVD
摘要
关键词
SiC过渡层/金刚石涂层/沉积温度/硬质合金Key words
SiC interlayer/ diamond coating/ deposition temperature/ cemented carbide分类
数理科学引用本文复制引用
宁来元,金腾,李晓静,于盛旺,申艳艳,唐伟忠,贺志勇..沉积温度对硬质合金表面MPCVD法制备SiC过渡层的影响[J].人工晶体学报,2014,43(4):784-789,6.基金项目
太原理工大学研究生创新基金(2013B099) （2013B099）
山西省自然科学基金(2013011012-4) （2013011012-4）
山西省回国留学人员科研资助项目(2013-048) （2013-048）
