强激光与粒子束2014，Vol.26Issue(4)：268-271,4.DOI:10.11884/HPLPB201426.045043
V掺杂6H-SiC光导开关制备与性能研究
Fabrication and properties of V-doped semi-insulating 6H-SiC photoconductive semiconductor switch
摘要
关键词
碳化硅/光导开关/导通电阻/峰值功率Key words
silicon carbide/photoconductive semiconductor switch/on-state resistance/peak power引用本文复制引用
周天宇,刘学超,代冲冲,黄维,施尔畏..V掺杂6H-SiC光导开关制备与性能研究[J].强激光与粒子束,2014,26(4):268-271,4.基金项目
中国科学院知识创新工程重要方向性项目(KGCX2-YW-206) （KGCX2-YW-206）
国家高技术发展计划项目 （）
上海市科技启明星项目(13QA1403800) （13QA1403800）
上海硅酸盐研究所创新基金项目(Y39ZC1110G) （Y39ZC1110G）
