发光学报2014，Vol.35Issue(5)：595-599,5.DOI:10.3788/fgxb20143505.0595
GaN基LED低温空穴注入层的MOCVD生长研究
Investigation of Low Temperature Hole-injection Layer in GaN-based LED Epitaxial Wafer Grown by MOCVD
摘要
关键词
LED/MOCVD/低温空穴注入层/二茂镁/温度Key words
LED/MOCVD/low-temperature hole-injection layer/magnesocene/temperature分类
信息技术与安全科学引用本文复制引用
黄华茂,游瑜婷,王洪,杨光..GaN基LED低温空穴注入层的MOCVD生长研究[J].发光学报,2014,35(5):595-599,5.基金项目
国家高技术研究发展计划(863)(2014AA032609) （863）
广东省战略性新兴产业发展专项资金(2010A081002009,2011A081301004,2012A080302003) （2010A081002009,2011A081301004,2012A080302003）
中央高校基本科研业务费专项资金(2013ZM093,2013ZP0017)资助项目 （2013ZM093,2013ZP0017）
