发光学报2014，Vol.35Issue(5)：604-607,4.DOI:10.3788/fgxb20143505.0604
铜掺杂氧化锌薄膜阻变特性的研究
Characteristics of Copper Doped Zinc Oxide Thin Film Resistive Switching
摘要
关键词
铜掺杂氧化锌/阻变开关/空间电荷限制电流效应Key words
ZnO∶ Cu/resistive switching/SCLC分类
信息技术与安全科学引用本文复制引用
杨帆,韦敏,邓宏,杨胜辉,刘冲..铜掺杂氧化锌薄膜阻变特性的研究[J].发光学报,2014,35(5):604-607,4.基金项目
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中国高等学校博士学科点科研基金(20110185110014)资助项目 （20110185110014）
