计算机工程与科学2014，Vol.36Issue(5)：786-789,4.DOI:10.3969/j.issn.1007-130X.2014.05.002
宽度和长度缩减对体硅和SOI nMOSFETs热载流子效应的影响
Effect of channel width and length shrinking on hot carrier effect in bulk and SOI nMOSFETs
摘要
关键词
热载流子效应/碰撞电离/界面态/垂直电场强度Key words
hot carrier effect (HCE)/impact ionization/interfacial state/vertical electric field intensity分类
信息技术与安全科学引用本文复制引用
池雅庆,刘蓉容,陈建军..宽度和长度缩减对体硅和SOI nMOSFETs热载流子效应的影响[J].计算机工程与科学,2014,36(5):786-789,4.基金项目
国家重点实验室开放基金课题(ZHD201202) （ZHD201202）
