宿州学院学报2014，Vol.29Issue(4)：74-77,4.DOI:10.3969/j.issn.1673-2006.2014.04.022
基于二维电势的超短沟道MOSFET亚阈值电流模型
Sub-threshold Current Model for the Ultra Short Channel MOSFETs Based on the 2-D Potential Model
摘要
关键词
MOSFET/亚阈值电流/二维电势模型/热电子电流分类
信息技术与安全科学引用本文复制引用
韩名君,李长波,钱峰,陶玉贵..基于二维电势的超短沟道MOSFET亚阈值电流模型[J].宿州学院学报,2014,29(4):74-77,4.基金项目
安徽省高校省级优秀青年人才基金重点项目“考虑结深的纳米MOS器件二维建模与统计涨落模型研究”(2013SQRL148ZD) （2013SQRL148ZD）
安徽省质量工程项目“维修电工职业技能人才培养模式的研究”(2010jyxm646) （2010jyxm646）
芜湖职业技术学院院级科研项目“短沟MOSFET器件电势和电容的二维半解析模型”(Wzyzr201308). （Wzyzr201308）
