发光学报2014,Vol.35Issue(6):637-642,6.DOI:10.3788/fgxb20143506.0637
InAs量子点引入应力对调制掺杂结构中二维电子气输运特性的影响
Effect of Strain Derived from Embedded InAs Quantum Dots on The Transport Properties of Two-dimensional Gas in Modulation-doped Heterostructure
摘要
关键词
量子点/二维电子气/应力/分子束外延Key words
quantum dots/two-dimensional electron gas/strain/molecular beam epitaxy分类
信息技术与安全科学引用本文复制引用
田海涛,王禄,温才,石震武,孙庆灵,高怀举,王文新,陈弘..InAs量子点引入应力对调制掺杂结构中二维电子气输运特性的影响[J].发光学报,2014,35(6):637-642,6.基金项目
国家自然科学基金(61106013,11104226) (61106013,11104226)
国家“863”计划(2013AA031903) (2013AA031903)
国家“973”计划(2010CB327501,2011CB925604)资助项目 (2010CB327501,2011CB925604)