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InAs量子点引入应力对调制掺杂结构中二维电子气输运特性的影响

田海涛 王禄 温才 石震武 孙庆灵 高怀举 王文新 陈弘

发光学报2014,Vol.35Issue(6):637-642,6.
发光学报2014,Vol.35Issue(6):637-642,6.DOI:10.3788/fgxb20143506.0637

InAs量子点引入应力对调制掺杂结构中二维电子气输运特性的影响

Effect of Strain Derived from Embedded InAs Quantum Dots on The Transport Properties of Two-dimensional Gas in Modulation-doped Heterostructure

田海涛 1王禄 2温才 1石震武 3孙庆灵 1高怀举 1王文新 2陈弘1

作者信息

  • 1. 中国科学院物理研究所北京凝聚态物理国家实验室,北京100190
  • 2. 天津工业大学电气工程与自动化学院,天津300387
  • 3. 两南科技大学理学院极端条件物质特性实验室,四川绵阳621010
  • 折叠

摘要

关键词

量子点/二维电子气/应力/分子束外延

Key words

quantum dots/two-dimensional electron gas/strain/molecular beam epitaxy

分类

信息技术与安全科学

引用本文复制引用

田海涛,王禄,温才,石震武,孙庆灵,高怀举,王文新,陈弘..InAs量子点引入应力对调制掺杂结构中二维电子气输运特性的影响[J].发光学报,2014,35(6):637-642,6.

基金项目

国家自然科学基金(61106013,11104226) (61106013,11104226)

国家“863”计划(2013AA031903) (2013AA031903)

国家“973”计划(2010CB327501,2011CB925604)资助项目 (2010CB327501,2011CB925604)

发光学报

OA北大核心CSCDCSTPCD

1000-7032

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