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AlN缓冲层对Si基GaN外延薄膜性质的影响

陈翔邢艳辉韩军霍文娟钟林健崔明范亚明张宝顺

发光学报2014，Vol.35Issue(6)：727-731,5.

发光学报2014，Vol.35Issue(6)：727-731,5.DOI:10.3788/fgxb20143506.0727

Influence of AlN Buffer Layer on Properties of GaN Epitaxial Film Grown on Si Substrate

陈翔 ¹邢艳辉 ¹韩军 ¹霍文娟 ¹钟林健 ¹崔明 ¹范亚明 ²张宝顺²

作者信息

AlN缓冲层/GaN/Si衬底/张应力/MOCVD

AlN buffer layer/GaN/Si substrate/tension stress/MOCVD

数理科学

陈翔,邢艳辉,韩军,霍文娟,钟林健,崔明,范亚明,张宝顺..AlN缓冲层对Si基GaN外延薄膜性质的影响[J].发光学报,2014,35(6):727-731,5.

国家自然科学基金(61204011,61107026,61176126,61006084) （61204011,61107026,61176126,61006084）

国家杰出青年科学基金(60925017) （60925017）

北京市自然科学基金(4102003,4112006) （4102003,4112006）

北京市教委科研计划(KM201210005004)资助项目（KM201210005004）

OA北大核心CSCDCSTPCD

ISSN：1000-7032

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