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InP基PIN型探测器中接触层掺杂对In0.53Ga0.47As材料光致发光特性的影响

吴波邓军杨利鹏田迎韩军李建军史衍丽

红外技术2014，Vol.36Issue(5)：415-418,4.

The Influences of Contact Layer Doping on the PL Spectrum Properties of In0.53Ga0.47As Materials in InP Base PIN Detector

吴波 ¹邓军 ¹杨利鹏 ¹田迎 ¹韩军 ¹李建军 ¹史衍丽²

作者信息

InP/变掺杂/MOCVD/InGaAs

InP/Varied doping/MOCVD/InGaAs

信息技术与安全科学

吴波,邓军,杨利鹏,田迎,韩军,李建军,史衍丽..InP基PIN型探测器中接触层掺杂对In0.53Ga0.47As材料光致发光特性的影响[J].红外技术,2014,36(5):415-418,4.

国家自然科学基金,编号:U1037602. （）

OA北大核心CSCDCSTPCD

ISSN：1001-8891

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