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氧等离子体刻蚀CVD金刚石膜的影响机理

潘鑫 马志斌 李国伟 曹为 王传新 付秋明

强激光与粒子束2014,Vol.26Issue(7):243-247,5.
强激光与粒子束2014,Vol.26Issue(7):243-247,5.DOI:10.11884/HPLPB201426.074001

氧等离子体刻蚀CVD金刚石膜的影响机理

Mechanism of etching CVD diamond film by oxygen plasma

潘鑫 1马志斌 1李国伟 1曹为 1王传新 1付秋明1

作者信息

  • 1. 武汉工程大学材料科学与工程学院,湖北省等离子体化学与新材料重点实验室,武汉430073
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摘要

关键词

刻蚀/CVD金刚石/等离子体参数/ECR等离子体

Key words

etching/CVD diamond/plasma parameters/ECR plasma

分类

化学化工

引用本文复制引用

潘鑫,马志斌,李国伟,曹为,王传新,付秋明..氧等离子体刻蚀CVD金刚石膜的影响机理[J].强激光与粒子束,2014,26(7):243-247,5.

基金项目

国家自然科学基金项目(10875093) (10875093)

强激光与粒子束

OA北大核心CSCD

1001-4322

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