中山大学学报（自然科学版）2014，Vol.53Issue(3)：14-18,5.
硅片不同表面钝化工艺的稳定性研究
Study on the Stability of the Silicon Wafers Passivated by Different Surface Passivation Processes
摘要
关键词
表面钝化/稳定性/少子寿命/硅片Key words
surface passivation/stability/minority carrier lifetime/silicon分类
能源科技引用本文复制引用
曾湘安,艾斌,邓幼俊,沈辉..硅片不同表面钝化工艺的稳定性研究[J].中山大学学报（自然科学版）,2014,53(3):14-18,5.基金项目
国家自然科学基金资助项目(50802118) （50802118）
广东省战略性新兴产业核心技术攻关资助项目(2011A032304001) （2011A032304001）
中央高校基本研究经费青年教师培育资助项目(11lgpy40) （11lgpy40）
