红外与毫米波学报2014，Vol.33Issue(3)：256-262,7.DOI:10.3724/SP.J.1010.2014.00256
基于NEDI砷化镓肖特基二极管的D波段和G波段倍频源
Development of D-Band and G-Band frequency multiply sources with Schottky diodes of NEDI
姚常飞 1周明 2罗运生 2林罡 2李姣 1许从海 2寇亚男 2吴刚 2王继财2
作者信息
- 1. 南京电子器件研究所微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室,江苏南京210016
- 2. 南京电子器件研究所微波毫米波模块电路事业部,江苏南京210016
- 折叠
摘要
关键词
太赫兹/GaAs肖特基二极管/倍频器Key words
Terahertz/GaAs Schottky diode/multipliers分类
信息技术与安全科学引用本文复制引用
姚常飞,周明,罗运生,林罡,李姣,许从海,寇亚男,吴刚,王继财..基于NEDI砷化镓肖特基二极管的D波段和G波段倍频源[J].红外与毫米波学报,2014,33(3):256-262,7.
