人工晶体学报2014，Vol.43Issue(6)：1381-1386,6.
Ga源温度对共蒸发三步法制备Cu(In,Ga)Se2太阳电池的影响
Effects of Ga-source Temperature on Properties of Cu(In, Ga) Se2 Thin Films and Solar Cell Fabricated by Three-step Co-evaporation Technique
摘要
关键词
CIGS薄膜/太阳电池/Ga梯度分布/二极管特性Key words
CIGS thin film/solar cell/Ga gradient distribution/diode characteristic分类
信息技术与安全科学引用本文复制引用
刘芳芳,何青,周志强,孙云..Ga源温度对共蒸发三步法制备Cu(In,Ga)Se2太阳电池的影响[J].人工晶体学报,2014,43(6):1381-1386,6.基金项目
国家自然科学基金(61144002) （61144002）
河北省自然科学基金(F2012202075) （F2012202075）
