人工晶体学报2014，Vol.43Issue(6)：1500-1503,1508,5.
SiC晶片研磨加工亚表面损伤深度的研究
Study on the Subsurface Damage Depth of the Lapped SiC Wafers
王栋 1张银霞 1郜伟 1杨乐乐 1苏建修2
作者信息
- 1. 郑州大学机械工程学院,郑州450001
- 2. 河南科技学院机电学院,新乡453003
- 折叠
摘要
关键词
SiC晶片/研磨加工/损伤深度/固结磨料Key words
SiC wafer/lapping/subsurface damage depth/fixed abrasives分类
数理科学引用本文复制引用
王栋,张银霞,郜伟,杨乐乐,苏建修..SiC晶片研磨加工亚表面损伤深度的研究[J].人工晶体学报,2014,43(6):1500-1503,1508,5.
