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高温预生长对图形化蓝宝石衬底GaN薄膜质量的提高

黄华茂 杨光 王洪 章熙春 陈科 邵英华

发光学报2014,Vol.35Issue(8):980-985,6.
发光学报2014,Vol.35Issue(8):980-985,6.DOI:10.3788/fgxb20143508.0980

高温预生长对图形化蓝宝石衬底GaN薄膜质量的提高

Improvement of GaN Thin-film Quality Grown on Patterned Sapphire Substrate by High-temperature Pre-growth Treatment

黄华茂 1杨光 1王洪 1章熙春 1陈科 2邵英华2

作者信息

  • 1. 华南理工大学理学院物理系广东省光电工程技术研究开发中心,广东广州510640
  • 2. 鹤山丽得电子实业有限公司,广东鹤山529728
  • 折叠

摘要

关键词

LED/GaN/图形化蓝宝石衬底/高温预生长

Key words

LED/GaN/patterned sapphire substrate/high-temperature pre-growth treatment

分类

信息技术与安全科学

引用本文复制引用

黄华茂,杨光,王洪,章熙春,陈科,邵英华..高温预生长对图形化蓝宝石衬底GaN薄膜质量的提高[J].发光学报,2014,35(8):980-985,6.

基金项目

国家高技术研究发展计划(863计划)(2014AA032609) (863计划)

广东省战略性新兴产业发展专项资金(2010A081002009,2012A080302003) (2010A081002009,2012A080302003)

中央高校基本科研业务费专项资金(2013ZM093,2013ZP0017)资助项目 (2013ZM093,2013ZP0017)

发光学报

OA北大核心CSCDCSTPCD

1000-7032

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