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基于原位形成p-n结的新型光电化学传感器检测Hg2+

刘康丽 董玉明 束军仙 王光丽

分析测试学报2014,Vol.33Issue(8):899-904,6.
分析测试学报2014,Vol.33Issue(8):899-904,6.DOI:10.3969/j.issn.1004-4957.2014.08.007

基于原位形成p-n结的新型光电化学传感器检测Hg2+

A Novel Photoelectrochemical Sensor for Hg2+ Detection Based on In-situ Formation of p-n Junction

刘康丽 1董玉明 1束军仙 1王光丽1

作者信息

  • 1. 江南大学食品胶体与生物技术教育部重点实验室化学与材料工程学院,江苏无锡214122
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摘要

关键词

CdS量子点/光电化学传感器/汞离子/p-n结

Key words

CdS quantum dots (QDs)/photoelectrochemical sensor/mercury (Ⅱ) ion/p-n junction

分类

化学化工

引用本文复制引用

刘康丽,董玉明,束军仙,王光丽..基于原位形成p-n结的新型光电化学传感器检测Hg2+[J].分析测试学报,2014,33(8):899-904,6.

基金项目

国家自然科学基金项目(21275065,21005031) (21275065,21005031)

分析测试学报

OA北大核心CSCDCSTPCD

1004-4957

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