人工晶体学报2014，Vol.43Issue(8)：1913-1920,8.
基于正交试验的PECVD法沉积氮化硅薄膜工艺参数优化研究
Optimization of Process Parameters for SiNx∶ H Films Deposited by PECVD Method through Orthogonal Experimental Design
摘要
关键词
PECVD/氮化硅薄膜/正交试验/工艺参数Key words
PECVD/ SiNx∶ H film/ orthogonal experiment/ process parameter分类
化学化工引用本文复制引用
吴晓松,褚学宁,李玉鹏..基于正交试验的PECVD法沉积氮化硅薄膜工艺参数优化研究[J].人工晶体学报,2014,43(8):1913-1920,8.基金项目
国家自然科学基金(51475290,51075261) （51475290,51075261）
高等学校博士学科点专项科研基金资助课题(20120073110096) （20120073110096）
上海市科技创新行动计划项目(11DZ1120800) （11DZ1120800）
