人工晶体学报2014，Vol.43Issue(8)：1926-1932,7.
低温AlN插入层的生长温度对AlGaN/GaN量子阱应力弛豫作用的影响
Influence of Growth Temperature of Low Temperature-AlN Interlayer on Strain Relaxation in AlGaN/GaN Quantum Well
摘要
关键词
AlN插入层/生长温度/AlGaN/GaN量子阱/应变弛豫Key words
AlN interlayer/ growth temperature / AlGaN/GaN quantum well / strain relaxation分类
信息技术与安全科学引用本文复制引用
刘子超,章海霞,甄慧慧,李明山,尚林,许并社..低温AlN插入层的生长温度对AlGaN/GaN量子阱应力弛豫作用的影响[J].人工晶体学报,2014,43(8):1926-1932,7.基金项目
山西省科技创新重点团队(2012041011) （2012041011）
