人工晶体学报2014，Vol.43Issue(8)：1965-1969,5.
6H-SiC衬底上多晶Si薄膜热壁CVD间隔生长与结构表征
Growth and Structural Characterization of Polycrystalline Silicon Film Pulsed on 6H-SiC Substrate by HWCVD
摘要
关键词
热壁LPCVD/多晶Si薄膜/择优取向/表面粗糙度Key words
hot-wall LPCVD / polycrystalline Si thin film / preferred orientation / surface roughness分类
信息技术与安全科学引用本文复制引用
高战军,陈治明,李连碧,赵萌,黄磊..6H-SiC衬底上多晶Si薄膜热壁CVD间隔生长与结构表征[J].人工晶体学报,2014,43(8):1965-1969,5.基金项目
国家自然科学基金(51177134) （51177134）
