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In-Ga共掺杂ZnO的第一性原理计算

闫小兵 史守山 郝华

中国粉体技术2014,Vol.20Issue(5):33-36,4.
中国粉体技术2014,Vol.20Issue(5):33-36,4.DOI:10.13732/j.issn.1008-5548.2014.05.008

In-Ga共掺杂ZnO的第一性原理计算

First-principles Calculation of In-Ga Co-doped ZnO

闫小兵 1史守山 1郝华1

作者信息

  • 1. 河北大学电子信息工程学院,河北保定071002
  • 折叠

摘要

关键词

In-Ga共掺杂/电子结构/光学性质/第一性原理

Key words

In-Ga co-doped/electronic structure/optical property/first-principles

分类

矿业与冶金

引用本文复制引用

闫小兵,史守山,郝华..In-Ga共掺杂ZnO的第一性原理计算[J].中国粉体技术,2014,20(5):33-36,4.

基金项目

国家自然科学基金项目,编号:61306098 ()

河北省自然科学基金项目,编号:E2012201088 ()

河北省高等学校科学研究项目ZH2012019 ()

河北省保定市科学技术研究与发展计划,编号:11ZG030 ()

河北大学自然科学基金项目,编号:2011-219. ()

中国粉体技术

OA北大核心CSTPCD

1008-5548

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