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InAs/GaSbⅡ类超晶格材料台面腐蚀

张利学 孙维国 吕衍秋 张向锋 姚官生 张小雷 司俊杰

红外与毫米波学报2014,Vol.33Issue(5):472-476,5.
红外与毫米波学报2014,Vol.33Issue(5):472-476,5.DOI:10.3724/SP.J.1010.2014.00472

InAs/GaSbⅡ类超晶格材料台面腐蚀

Mesa etching of type Ⅱ InAs/GaSb superlattice

张利学 1孙维国 2吕衍秋 1张向锋 2姚官生 2张小雷 2司俊杰2

作者信息

  • 1. 西北工业大学材料学院,陕西西安710072
  • 2. 红外探测器技术航空科技重点实验室,河南洛阳471009
  • 折叠

摘要

关键词

半导体材料/InAs/GaSbⅡ类超晶格/MBE/ICP干法刻蚀/湿法腐蚀

Key words

semiconductor material/type Ⅱ InAs/GaSb superlattice/MBE/ICP dry etch/wet-chemical etching

分类

信息技术与安全科学

引用本文复制引用

张利学,孙维国,吕衍秋,张向锋,姚官生,张小雷,司俊杰..InAs/GaSbⅡ类超晶格材料台面腐蚀[J].红外与毫米波学报,2014,33(5):472-476,5.

基金项目

国家自然科学基金(61205056) (61205056)

Supported by National Natural Science Foundation of China (61205056) (61205056)

红外与毫米波学报

OA北大核心CSCDCSTPCDSCI

1001-9014

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