物理化学学报2014，Vol.30Issue(10)：1867-1875,9.DOI:10.3866/PKU.WHXB201407221
偏压控制Cu2O和Cu在TiO2表面的生长及其光电化学性质
Bias-Determined Cu2O and Cu Growth on TiO2 Surface and Their Photoelectrochemical Properties
摘要
关键词
氧化亚铜/铜/电化学沉积/光电化学性质/二氧化钛薄膜Key words
Cuprous oxide/Copper/Electrochemical deposition/Photoelectrochemical property/Titatium oxide film分类
化学化工引用本文复制引用
姜春香,胡玉祥,董雯,郑分刚,苏晓东,方亮,沈明荣..偏压控制Cu2O和Cu在TiO2表面的生长及其光电化学性质[J].物理化学学报,2014,30(10):1867-1875,9.基金项目
The project was supported by the National Natural Science Foundation of China (91233109,51272166,11004146),Natural Science Foundation of Jiangsu Province,China (BK2012622),and Priority Academic Program Development of Jiangsu Higher Education Institutions (PAPD),China.国家自然科学基金(91233109,51272166,11004146),江苏省国家自然科学基金(BK2012622)及江苏省高等教育机构优势学科项目资助 （91233109,51272166,11004146）
