原子能科学技术2014，Vol.48Issue(Z1)：708-711,4.DOI:10.7538/yzk.2014.48.S0.0708
Burn-in对SRAM器件电离总剂量效应的影响
Influence of Burn-in on Total-ionizing-dose Effect of SRAM Device
刘敏波 1姚志斌 1黄绍艳 1何宝平 1盛江坤1
作者信息
- 1. 西北核技术研究所强脉冲辐射环境模拟与效应国家重点实验室,陕西西安710024
- 折叠
摘要
关键词
SRAM器件/工艺尺寸/高温老炼/电离总剂量效应Key words
SRAM device/feature size/Burn-in/total-ionizing-dose effect分类
信息技术与安全科学引用本文复制引用
刘敏波,姚志斌,黄绍艳,何宝平,盛江坤..Burn-in对SRAM器件电离总剂量效应的影响[J].原子能科学技术,2014,48(Z1):708-711,4.
