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快中子辐照直拉硅中非晶区的FTIR研究

杨帅 陈贵锋 王永

硅酸盐通报2014,Vol.33Issue(10):2468-2471,4.
硅酸盐通报2014,Vol.33Issue(10):2468-2471,4.

快中子辐照直拉硅中非晶区的FTIR研究

FTIR Study of Amorphous Region in Fast Neutron Irradiated Czochralski Silicon

杨帅 1陈贵锋 2王永3

作者信息

  • 1. 天津理工大学理学院,天津300384
  • 2. 河北工业大学材料科学与工程学院,天津300130
  • 3. 唐山海泰新能科技有限公司,唐山064100
  • 折叠

摘要

关键词

直拉硅/中子辐照/非晶区/空位型缺陷

Key words

czochralski silicon / neutron irradiate / amorphous region / vacancy-type defect

分类

信息技术与安全科学

引用本文复制引用

杨帅,陈贵锋,王永..快中子辐照直拉硅中非晶区的FTIR研究[J].硅酸盐通报,2014,33(10):2468-2471,4.

基金项目

国家自然科学基金(61176126)、河北省自然科学基金(F2013202001)资助项目. (61176126)

硅酸盐通报

OA北大核心CSCDCSTPCD

1001-1625

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