高电压技术2014，Vol.40Issue(11)：3584-3589,6.DOI:10.13336/j.1003-6520.hve.2014.11.039
不同负载条件下绝缘栅双极型晶体管死区时间设置分析
Analysis of Dead Time Set for Insulated Gate Bipolar Transistor Under Different Load Conditions
摘要
关键词
IGBT/死区时间设置/穿通/阻性负载/感性负载/空载Key words
IGBT/dead time setting/shoot through/resistance load/inductance load/no load引用本文复制引用
汪波,罗毅飞,刘宾礼,唐勇..不同负载条件下绝缘栅双极型晶体管死区时间设置分析[J].高电压技术,2014,40(11):3584-3589,6.基金项目
国家自然科学基金(50737004 （）
51277178).Project supported by National Natural Science Foundation of China (50737004,51277178). （50737004,51277178）
