人工晶体学报2014，Vol.43Issue(11)：3055-3057,3.
高纯半绝缘4H-SiC单晶的生长
Growth of High Purity Semi-Insulting 4H-SiC Single Crystals
摘要
关键词
碳化硅/物理气相传输法/半绝缘Key words
silicon carbide / physical vapor transport method / semi-insulating分类
数理科学引用本文复制引用
杨昆,陈秀芳,杨祥龙,彭燕,胡小波,徐现刚..高纯半绝缘4H-SiC单晶的生长[J].人工晶体学报,2014,43(11):3055-3057,3.基金项目
国家自然科学基金(61327808) （61327808）
国家重点基础研究发展计划(973计划)(2011CB301904) （973计划）
自主创新及成果转化专项(2014XGC01004) （2014XGC01004）
山东省科技发展计划(2012GGE27136) （2012GGE27136）
