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氧分压对铟镓锌氧化物薄膜晶体管性能的影响

刘媛媛 童杨 王雪霞 王昆仑 宋淑梅 杨田林

人工晶体学报2014,Vol.43Issue(12):3108-3112,5.
人工晶体学报2014,Vol.43Issue(12):3108-3112,5.

氧分压对铟镓锌氧化物薄膜晶体管性能的影响

Effect of the Oxygen Partial Pressure on Properties of Indium Gallium Zinc Oxide Thin Film Transistors

刘媛媛 1童杨 1王雪霞 1王昆仑 1宋淑梅 1杨田林1

作者信息

  • 1. 山东大学空间科学与物理学院,威海264209
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摘要

关键词

射频磁控溅射/氧分压/光学带隙/IGZO TFT

Key words

RF magnetron sputtering/ oxygen partial pressure/ optical band gap/ IGZO TFT

分类

信息技术与安全科学

引用本文复制引用

刘媛媛,童杨,王雪霞,王昆仑,宋淑梅,杨田林..氧分压对铟镓锌氧化物薄膜晶体管性能的影响[J].人工晶体学报,2014,43(12):3108-3112,5.

基金项目

山东大学自主创新基金(2011ZRXT002,2011ZRYQ010) (2011ZRXT002,2011ZRYQ010)

山东大学(威海)研究生科研创新基金(yjs12026) (威海)

人工晶体学报

OA北大核心CSCDCSTPCD

1000-985X

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