人工晶体学报2014,Vol.43Issue(12):3108-3112,5.
氧分压对铟镓锌氧化物薄膜晶体管性能的影响
Effect of the Oxygen Partial Pressure on Properties of Indium Gallium Zinc Oxide Thin Film Transistors
摘要
关键词
射频磁控溅射/氧分压/光学带隙/IGZO TFTKey words
RF magnetron sputtering/ oxygen partial pressure/ optical band gap/ IGZO TFT分类
信息技术与安全科学引用本文复制引用
刘媛媛,童杨,王雪霞,王昆仑,宋淑梅,杨田林..氧分压对铟镓锌氧化物薄膜晶体管性能的影响[J].人工晶体学报,2014,43(12):3108-3112,5.基金项目
山东大学自主创新基金(2011ZRXT002,2011ZRYQ010) (2011ZRXT002,2011ZRYQ010)
山东大学(威海)研究生科研创新基金(yjs12026) (威海)