人工晶体学报2014，Vol.43Issue(12)：3145-3150,6.
PECVD沉积硅薄膜退火性质的分析
Properties Analysis of Silicon Film Deposited by PECVD after Annealing
摘要
关键词
等离子体增强化学气相沉积/硅薄膜/退火Key words
PECVD / silicon thin film / annealing分类
信息技术与安全科学引用本文复制引用
张林睿,周炳卿,高玉伟,张龙龙,张娜,路小翠..PECVD沉积硅薄膜退火性质的分析[J].人工晶体学报,2014,43(12):3145-3150,6.基金项目
国家自然科学基金(51262022) （51262022）
内蒙古师范大学“十百千”人才工程资助项目(RCPY-2-2012-K-041) （RCPY-2-2012-K-041）
