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退火处理对P型ZnO薄膜光电性能影响的研究

吴炳南 高立华 高松华

中国非金属矿工业导刊Issue(6):15-17,3.
中国非金属矿工业导刊Issue(6):15-17,3.

退火处理对P型ZnO薄膜光电性能影响的研究

Impact of Annealing Process on Photoelectric Properties of P-ZnO Films

吴炳南 1高立华 1高松华2

作者信息

  • 1. 三明学院机电工程学院,福建三明 365004
  • 2. 三明学院科研处,福建三明 365004
  • 折叠

摘要

关键词

ZnO薄膜/P型/退火处理/光电性能

Key words

ZnO thin film/P-type/N-Al co-doping/photoelectric property

分类

信息技术与安全科学

引用本文复制引用

吴炳南,高立华,高松华..退火处理对P型ZnO薄膜光电性能影响的研究[J].中国非金属矿工业导刊,2014,(6):15-17,3.

基金项目

2012年度省级大学生创新创业训练计划项目(编号:ZL1217/CS(sj)) (编号:ZL1217/CS(sj)

福建省自然科学基金资助项目(编号:2012J01016). (编号:2012J01016)

中国非金属矿工业导刊

OACSTPCD

1007-9386

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