材料科学与工程学报2015，Vol.33Issue(1)：5-8,4,5.
n型补偿直拉单晶硅的电子迁移率
Electron Mobility in n-type Compensated Czochralski Silicon Crystal
摘要
关键词
电子迁移率/补偿/硅Key words
electron mobility/ compensation/ silicon分类
数理科学引用本文复制引用
易俊,陈鹏,马向阳,杨德仁..n型补偿直拉单晶硅的电子迁移率[J].材料科学与工程学报,2015,33(1):5-8,4,5.基金项目
国家自然科学基金资助项目(60906001) （60906001）
国家科技重大专项资助项目(2010ZX02301-003) （2010ZX02301-003）
