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不同封装方式对肖特基二极管高频性能的影响

赵妍 马毅超 吴卫东

强激光与粒子束2015,Vol.27Issue(1):128-131,4.
强激光与粒子束2015,Vol.27Issue(1):128-131,4.DOI:10.11884/HPLPB201527.013101

不同封装方式对肖特基二极管高频性能的影响

Effect of different packaging techniques on high-frequency performance of Schottky diodes

赵妍 1马毅超 2吴卫东3

作者信息

  • 1. 中国工程物理研究院激光聚变研究中心,四川绵阳621900
  • 2. 中国工程物理研究院太赫兹研究中心,四川绵阳621900
  • 3. 陕西科技大学光电系,西安710021
  • 折叠

摘要

关键词

太赫兹/肖特基二极管/信号完整性/倒装芯片封装

Key words

terahertz/Schottky barrier diodes/signal integrity/flip-chip packaging

分类

数理科学

引用本文复制引用

赵妍,马毅超,吴卫东..不同封装方式对肖特基二极管高频性能的影响[J].强激光与粒子束,2015,27(1):128-131,4.

基金项目

中国工程物理研究院太赫兹中心项目 ()

强激光与粒子束

OA北大核心CSCD

1001-4322

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