大功率变流技术Issue(1)：36-38,3.DOI:10.13889/j.issn.2095-3631.2015.01.008
SiC高温氧化工艺开发和界面特性分析
Development of High Temperature Oxidation Technology for SiC and Analysis on the Characteristics of its Interface
赵艳黎 1李诚瞻 1蒋华平 1许恒宇2
作者信息
- 1. 株洲南车时代电气股份有限公司,湖南株洲412001
- 2. 中国科学院微电子研究所,北京100029
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摘要
关键词
SiC氧化工艺/界面态密度/击穿电场/C-V特性/I-V特性分类
信息技术与安全科学引用本文复制引用
赵艳黎,李诚瞻,蒋华平,许恒宇..SiC高温氧化工艺开发和界面特性分析[J].大功率变流技术,2015,(1):36-38,3.
