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基于倒扣技术的190~225 GHz肖特基二极管高效率二倍频器

姚常飞 周明 罗运生 寇亚男

红外与毫米波学报2015,Vol.34Issue(1):6-9,28,5.
红外与毫米波学报2015,Vol.34Issue(1):6-9,28,5.DOI:10.3724/SP.J.1010.2015.00006

基于倒扣技术的190~225 GHz肖特基二极管高效率二倍频器

A 190 ~ 225 GHz high efficiency Schottky diode doubler with circuit substrate flip-chip mounted

姚常飞 1周明 2罗运生 2寇亚男2

作者信息

  • 1. 南京电子器件研究所微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室,江苏南京210016
  • 2. 南京电子器件研究所微波毫米波模块电路事业部,江苏南京210016
  • 折叠

摘要

关键词

GaAs肖特基二极管/二倍频器/太赫兹/效率

Key words

GaAs Schottky diode/frequency doubler/terahertz/efficiency

分类

信息技术与安全科学

引用本文复制引用

姚常飞,周明,罗运生,寇亚男..基于倒扣技术的190~225 GHz肖特基二极管高效率二倍频器[J].红外与毫米波学报,2015,34(1):6-9,28,5.

红外与毫米波学报

OA北大核心CSCDCSTPCDSCI

1001-9014

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