MOSFET器件热载流子效应SPICE模型

戴佼容刘斯扬张春伟孙陈超孙伟锋

东南大学学报（自然科学版）2015，Vol.45Issue(1)：12-16,5.

东南大学学报（自然科学版）2015，Vol.45Issue(1)：12-16,5.DOI:10.3969/j.issn.1001-0505.2015.01.003

SPICE model for hot carrier effect of MOSFET device

戴佼容 ¹刘斯扬 ¹张春伟 ¹孙陈超 ¹孙伟锋¹

作者信息

MOSFET/热载流子效应/退化

MOSFET (metal-oxide-semiconductor field-effect transistor)/hot carrier effect/degradation

信息技术与安全科学

戴佼容,刘斯扬,张春伟,孙陈超,孙伟锋..MOSFET器件热载流子效应SPICE模型[J].东南大学学报（自然科学版）,2015,45(1):12-16,5.

东南大学无锡分校科研引导资金资助项目、东南大学研究生科研基金资助项目(YBPY1403). （YBPY1403）

OA北大核心CSCDCSTPCD

ISSN：1001-0505

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