TSTGT蓝宝石晶体位错腐蚀形貌分析OA北大核心CSCDCSTPCD
Analysis of Dislocation Etched Topography for Sapphire Single Crystal Grown by TSTGT Method
采用化学腐蚀-金相显微镜法,利用熔融的KOH对顶部籽晶温度梯度法(TSTGT)生长的直径320 mm的蓝宝石单晶中不同部位的晶片做了位错腐蚀形貌分析.研究表明,(0001)面的位错腐蚀坑呈三角形,腐蚀晶界具有延伸性.对比不同腐蚀时间、不同腐蚀温度和不同表面粗糙度下的腐蚀效果,发现使用KOH腐蚀剂在400℃腐蚀15min时,效果最好.表面粗糙度越小,位错图像越清晰.
王佳麒;张艳;裴广庆;周金堂;李涛;黄小卫;柳祝平
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数理科学
蓝宝石单晶腐蚀KOH表面粗糙度
sapphire single crystal etching KOH surface roughness
《人工晶体学报》 2015 (3)
627-631,5
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