人工晶体学报2015，Vol.44Issue(3)：672-675,4.
AlN插入层对AlGaN/GaN外延材料电学性能影响
Influence of AlN Interlayer on the Electrical Properties of AlGaN/GaN Epitaxial Material
王侠1
作者信息
- 1. 西安科技大学电气与控制工程学院,西安710054
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摘要
关键词
MOCVD/AlN插入层/AlGaN/GaN异质结构/外延/迁移率Key words
MOCVD/ AlN interlayer/ AlGaN/GaN heterostructure / epitaxy / mobility分类
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王侠..AlN插入层对AlGaN/GaN外延材料电学性能影响[J].人工晶体学报,2015,44(3):672-675,4.
