大功率变流技术Issue(2)：57-61,5.DOI:10.13889/j.issn.2095-3631.2015.02.012
沟槽栅IGBT关键技术研究
Research on the Key Technology of Trench Gate IGBT
黄建伟 1杨鑫著 1刘根 1罗海辉 1余伟 1谭灿健1
作者信息
- 1. 株洲南车时代电气股份有限公司,湖南株洲412001
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摘要
关键词
沟槽栅IGBT/沟槽刻蚀/栅氧生长/多晶硅填充分类
信息技术与安全科学引用本文复制引用
黄建伟,杨鑫著,刘根,罗海辉,余伟,谭灿健..沟槽栅IGBT关键技术研究[J].大功率变流技术,2015,(2):57-61,5.
