发光学报2015，Vol.36Issue(4)：408-412,5.DOI:10.3788/fgxb20153604.0408
温度对Si上MOCVD-ZnO成核与薄膜生长特性的影响
Effect of Temperature on The Nucleation and Epitaxial Films of ZnO on Si Substrates Grown by MOCVD
摘要
关键词
ZnO/MOCVD/成核/薄膜Key words
ZnO/MOCVD/nucleation/epitaxial films分类
数理科学引用本文复制引用
崔夕军,庄仕伟,张金香,史志锋,伍斌,董鑫,张源涛,张宝林,杜国同..温度对Si上MOCVD-ZnO成核与薄膜生长特性的影响[J].发光学报,2015,36(4):408-412,5.基金项目
“973”国家重点基础研究发展计划(2011CB302005) （2011CB302005）
国家自然科学基金(61106003,61223005) （61106003,61223005）
长春市科技局国际科技合作计划(12ZX68)资助项目 （12ZX68）
