发光学报2015，Vol.36Issue(6)：639-644,6.DOI:10.3788/fgxb20153606.0639
基于混合型量子阱的GaN基垂直结构发光二极管性能
Performance of GaN-based Vertical Structure Light Emitting Diodes with Hybrid Quantum Wells
摘要
关键词
GaN/垂直结构LEDs/混合型量子阱/效率下降Key words
GaN/vertical structure LEDs/hybrid quantum well/efficiency droop分类
信息技术与安全科学引用本文复制引用
蔡镇准,胡晓龙,刘丽,王洪..基于混合型量子阱的GaN基垂直结构发光二极管性能[J].发光学报,2015,36(6):639-644,6.基金项目
国家高技术研究发展计划(863计划)(2014AA032609) （863计划）
国家自然科学基金(61404050) （61404050）
广东省战略性新兴产业专项资金(2012A080302003) （2012A080302003）
中央高校基本科研业务费(2014ZM0036)资助项目 （2014ZM0036）
