人工晶体学报2015，Vol.44Issue(5)：1156-1160,1170,6.
铋掺杂砷化镓晶体的坩埚下降法生长研究
Growth and Characterization of Bi-doped GaAs Crystal by Bridgman Method
摘要
关键词
坩埚下降法/晶体生长/砷化镓晶体/Bi掺杂Key words
Bridgman method/crystal growth/GaAs crystal/Bi doping分类
数理科学引用本文复制引用
王冰心,徐家跃,金敏,何庆波,房永征..铋掺杂砷化镓晶体的坩埚下降法生长研究[J].人工晶体学报,2015,44(5):1156-1160,1170,6.基金项目
上海市科委项目(09530500800) （09530500800）
