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直拉硅单晶中双空洞长大动力学的相场模拟

关小军 王进 张向宇 曾庆凯

人工晶体学报2015,Vol.44Issue(5):1207-1212,6.
人工晶体学报2015,Vol.44Issue(5):1207-1212,6.

直拉硅单晶中双空洞长大动力学的相场模拟

Phase-field Simulation for the Growth Dynamics of Double Voids during Czochralski Silicon Crystal Growth

关小军 1王进 2张向宇 1曾庆凯2

作者信息

  • 1. 山东大学材料科学与工程学院,济南250061
  • 2. 山东大学晶体材料国家重点实验室,济南250100
  • 折叠

摘要

关键词

硅单晶/直拉法生长/相场模拟/双空洞/长大动力学

Key words

silicon crystal/Czochralski process/phase-field simulation/double voids/growth dynamic

分类

数理科学

引用本文复制引用

关小军,王进,张向宇,曾庆凯..直拉硅单晶中双空洞长大动力学的相场模拟[J].人工晶体学报,2015,44(5):1207-1212,6.

基金项目

山东大学晶体材料国家重点实验室开放课题(KF1303) (KF1303)

人工晶体学报

OA北大核心CSCDCSTPCD

1000-985X

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