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衬底温度对硼掺杂ZnO薄膜微观结构及其光电特性的影响

王何美 朱华 冯晓炜 况慧芸 王艳香

人工晶体学报2015,Vol.44Issue(5):1266-1270,1299,6.
人工晶体学报2015,Vol.44Issue(5):1266-1270,1299,6.

衬底温度对硼掺杂ZnO薄膜微观结构及其光电特性的影响

Influence of Substrate Temperature on the Microstructure and Photoelectric Properties of Boron Doped ZnO Thin Film

王何美 1朱华 1冯晓炜 2况慧芸 2王艳香3

作者信息

  • 1. 景德镇陶瓷学院机电学院,景德镇333001
  • 2. 景德镇陶瓷学院科技艺术学院,景德镇333001
  • 3. 景德镇陶瓷学院材料科学与工程学院,景德镇333001
  • 折叠

摘要

关键词

ZnO∶B薄膜/磁控溅射/光电特性

Key words

ZnO∶B thin film/magnetron sputtering/photoelectric property

分类

数理科学

引用本文复制引用

王何美,朱华,冯晓炜,况慧芸,王艳香..衬底温度对硼掺杂ZnO薄膜微观结构及其光电特性的影响[J].人工晶体学报,2015,44(5):1266-1270,1299,6.

基金项目

国家自然科学基金(51102122) (51102122)

江西省自然科学基金(20142BAB206008) (20142BAB206008)

江西省教育厅科技项目(GJJ14646) (GJJ14646)

人工晶体学报

OA北大核心CSCDCSTPCD

1000-985X

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