材料科学与工程学报2015，Vol.33Issue(3)：396-400,5.
氧空位对Ga1.5In0.5O3透明导电氧化物性能的影响
Effect of Oxygen Vacancy on Property of Ga1.5In0.5O3 Transparent Conductive Oxides
摘要
关键词
Ga2(1-x)In2xO3化合物/氧空位/电子结构/第一性原理Key words
Ga2(1-x)In2xO3 compound/oxygen vacancy/electronic structure/first-principles分类
信息技术与安全科学引用本文复制引用
赵银女..氧空位对Ga1.5In0.5O3透明导电氧化物性能的影响[J].材料科学与工程学报,2015,33(3):396-400,5.基金项目
国家自然科学基金资助项目(10974077),山东省研究生教育创新计划资助项目(SDYY13093) （10974077）
