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阱接触面积对PMOS单粒子瞬态脉冲宽度的影响

刘蓉容 池雅庆 何益百 窦强

计算机工程与科学2015,Vol.37Issue(6):1053-1057,5.
计算机工程与科学2015,Vol.37Issue(6):1053-1057,5.DOI:10.3969/j.issn.1007-130X.2015.06.004

阱接触面积对PMOS单粒子瞬态脉冲宽度的影响

Impact of well contact area on the PMOS SET pulse width

刘蓉容 1池雅庆 1何益百 2窦强1

作者信息

  • 1. 国防科学技术大学计算机学院,湖南长沙410073
  • 2. 电子元器件可靠性物理及其应用技术重点实验室,广东广州510610
  • 折叠

摘要

关键词

阱接触面积/单粒子瞬态/PMOS/脉冲宽度

Key words

well contact area/single event transient/PMOS/pulse width

分类

信息技术与安全科学

引用本文复制引用

刘蓉容,池雅庆,何益百,窦强..阱接触面积对PMOS单粒子瞬态脉冲宽度的影响[J].计算机工程与科学,2015,37(6):1053-1057,5.

基金项目

国家重点实验室开放基金(ZHD201202) (ZHD201202)

计算机工程与科学

OA北大核心CSCDCSTPCD

1007-130X

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